Hoe de temperatuur te controleren met IGBT-thyristor-INNO

Bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT) wordt veel gebruikt op verschillende gebieden, zoals communicatie, vervoer, en macht, en ontwikkelt zich richting hoogspanning, hoge frequentie, en hoog vermogen. De hoge veiligheidseisen van bovengenoemde systemen verhogen de betrouwbaarheidseisen van IGBT. Daarom, toestandsmonitoring en levensvoorspelling van IGBT zijn uiterst belangrijk. Er zijn veel vormen van IGBT-falen, en temperatuur is de belangrijkste factor die het falen ervan veroorzaakt. Daarom, thermische analyse is een belangrijk onderdeel van de evaluatie van de IGBT-status, en realtime meting van de IGBT-junctietemperatuur is van groot belang voor het verbeteren van de systeembetrouwbaarheid.

Hoogspannings- en hoogvermogenthyristors zijn sleutelcomponenten van convertorkleppen in gelijkstroomtransmissieprojecten met ultrahoge spanning of ultrahoge spanning, en de gezondheidsstatus van thyristors heeft rechtstreeks invloed op de veiligheid en betrouwbaarheid van gelijkstroomtransmissieprojecten. Tijdens de werking van thyristors, veroudering is onvermijdelijk vanwege de gecombineerde effecten van hoogspanning, hoge stroom, temperatuur, vochtigheid, mechanische trillingen, en straling, onder andere spanningen. De prestatieparameters van thyristors veranderen ook naarmate ze ouder worden. Een uitgebreid begrip van de verouderings- en parameterdegradatiewetten van thyristors is van groot belang voor het evalueren van de toestand van thyristors, het opstellen van wetenschappelijke onderhoudsplannen, en het voorspellen van de resterende levensduur van thyristors.

Als laagspannings- en hoogspanningspoortcircuit, de normale werking van IGBT bepaalt rechtstreeks de werkstatus van de elektrische compressor. Het falen van IGBT is een van de grootste problemen op de after-salesmarkt van elektrische compressoren voor elektrische voertuigen. De faalmodi omvatten voornamelijk IGBT-storing en kortsluiting, waaronder IGBT-overstroom en oververhitting de belangrijkste oorzaken van het falen ervan. Nu, de meeste fabrikanten voegen IGBT-overstroombeveiliging toe (bescherming tegen overbelasting) en IGBT-oververhittingsbeveiliging voor de compressorregelstrategie op basis van de storingsmodus van IGBT. Echter, deze beschermingsstrategieën waren voorheen niet met elkaar verbonden, en IGBT kan lange tijd werken onder hoge stroom en hoge temperaturen, wat ongetwijfeld de levensduur van IGBT verkort. Bovendien, deze beveiligingsmethode beperkt de werkstroom van IGBT, waardoor het uitgangsvermogen van de motor wordt beperkt.

Met de voortdurende uitputting van chemische energie en de intensivering van de milieuvervuiling, het marktaandeel van elektrische voertuigen neemt jaar na jaar toe. Als het kernonderdeel van elektrische voertuigen, de motorcontroller zorgt voor de aandrijfkracht van het hele voertuig. Bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT) speelt een belangrijke rol als kerncomponent van het controlegedeelte. Vanwege het hoge vermogen van de aandrijfmotor die wordt gebruikt in elektrische voertuigen en de zware werkomgeving, IGBT-modules zijn vereist om grote stromen te kunnen verwerken. Dit vereist dat IGBT-modules goede warmteafvoercapaciteiten hebben en bestand zijn tegen hoge bedrijfstemperaturen.

Halfgeleidervermogensapparaten, vertegenwoordigd door IGBT, zijn een van de kerncomponenten van omvormers en ook een van de belangrijkste verwarmingscomponenten. Hun thermisch beheer is uiterst belangrijk en heeft een grote invloed op de levensduur van de apparaten en de bruikbare levensduur van de omvormers. Warmte beïnvloedt voornamelijk de levensduur van IGBT-apparaten vanuit twee temperatuuraspecten. Ten eerste, de toegestane temperatuur. Momenteel, de maximaal toegestane temperatuur voor industriële IGBT-apparaten is meestal 150 °C, waarbij een klein deel reikt 175 °C. Als de toegestane temperatuur wordt overschreden, de betrouwbaarheid van het apparaat kan niet worden gegarandeerd en het is gemakkelijk te falen; De tweede is temperatuurschommelingen of temperatuurcycli, omdat IGBT-apparaten meerdere materialen bevatten, en elk materiaal heeft een andere thermische uitzettingssnelheid. Temperatuurschommelingen zorgen ervoor dat het apparaat herhaaldelijk uitzet en inkrimpt, en de mate van uitzetting en samentrekking van verschillende materialen varieert. Frequente temperatuurschommelingen kunnen leiden tot uitval van IGBT-apparaten als gevolg van thermische vermoeidheid. Met IGBT-apparaten kan de temperatuur in huidige omvormers worden bewaakt, en er zit een zekere marge in het productontwerp; Echter, Temperatuurschommelingen worden vaak over het hoofd gezien, en zelfs als er aandacht wordt besteed aan temperatuurschommelingen, de belangrijkste overweging is om te voorkomen dat IGBT-junctietemperaturen tijdens schommelingen de toegestane temperatuur overschrijden, in plaats van zich te concentreren op het leven op temperatuur. Dit komt omdat de thermische vermoeidheid van apparaten, veroorzaakt door temperatuurschommelingen, nauw verband houdt met de frequentie en amplitude van de fluctuaties, en is een langdurig accumulatieproces.

FJINNO zorgt voor een fluorescentielamp glasvezel temperatuurmeetapparaat die direct IGBT-glasvezeltemperatuurmeting kan bereiken, thyristor glasvezel temperatuurmeting, en thyristor glasvezeltemperatuurmeting.