Paano subaybayan ang temperatura gamit ang IGBT thyristor-INNO

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ay malawakang ginagamit sa iba't ibang larangan tulad ng komunikasyon, transportasyon, at kapangyarihan, at umuunlad patungo sa mataas na boltahe, mataas na dalas, at mataas na kapangyarihan. Ang mataas na mga kinakailangan sa kaligtasan ng mga system sa itaas ay nagpapataas ng mga kinakailangan sa pagiging maaasahan ng IGBT. Samakatuwid, Ang pagsubaybay ng estado at paghula sa buhay ng IGBT ay napakahalaga. Mayroong maraming mga anyo ng IGBT failure, at temperatura ang pangunahing salik na nagiging sanhi ng pagkabigo nito. Samakatuwid, Ang thermal analysis ay isang mahalagang bahagi ng pagsusuri ng estado ng IGBT, at ang real-time na pagsukat ng temperatura ng junction ng IGBT ay may malaking kahalagahan para sa pagpapabuti ng pagiging maaasahan ng system.

Ang mga high voltage at high-power na thyristor ay mga pangunahing bahagi ng mga converter valve sa ultra-high voltage o ultra-high voltage direct current transmission projects, at ang katayuan ng kalusugan ng mga thyristor ay direktang nakakaapekto sa kaligtasan at pagiging maaasahan ng mga direktang kasalukuyang proyekto ng paghahatid. Sa panahon ng pagpapatakbo ng thyristors, Ang pagtanda ay hindi maiiwasan dahil sa pinagsamang epekto ng mataas na boltahe, mataas na agos, temperatura, kahalumigmigan, Mekanikal na panginginig ng boses, at radiation, bukod sa iba pang mga stress. Ang mga parameter ng pagganap ng thyristors ay nagbabago rin sa pagtanda. Ang isang komprehensibong pag-unawa sa mga batas sa pagtanda at pagkasira ng parameter ng thyristors ay may malaking kahalagahan para sa pagsusuri ng estado ng thyristors, pagbabalangkas ng mga siyentipikong plano sa pagpapanatili, at hinuhulaan ang natitirang buhay ng mga thyristor.

Bilang isang mababang boltahe at mataas na boltahe na gate circuit, ang normal na operasyon ng IGBT ay direktang tumutukoy sa gumaganang estado ng electric compressor. Ang pagkabigo ng IGBT ay isa sa mga pangunahing problema sa after-sales market ng mga electric compressor para sa mga de-kuryenteng sasakyan. Pangunahing kasama sa mga failure mode ang IGBT breakdown at short circuit, kung saan ang IGBT overcurrent at overheating ang pangunahing dahilan ng pagkabigo nito. Sa kasalukuyan, karamihan sa mga tagagawa ay nagdaragdag ng IGBT overcurrent na proteksyon (proteksyon ng labis na karga) at IGBT overheat na proteksyon sa compressor control strategy batay sa failure mode ng IGBT. Gayunpaman, ang mga diskarte sa proteksyon na ito ay hindi magkakaugnay noon, at ang IGBT ay maaaring gumana nang mahabang panahon sa ilalim ng mataas na kasalukuyang at mataas na temperatura, na walang alinlangan na binabawasan ang buhay ng serbisyo ng IGBT. At saka, ang paraan ng proteksyon na ito ay maglilimita sa gumaganang kasalukuyang ng IGBT, sa gayon ay nililimitahan ang power output ng motor.

Sa patuloy na pagkaubos ng enerhiya ng kemikal at pagtindi ng polusyon sa kapaligiran, ang bahagi ng merkado ng mga de-kuryenteng sasakyan ay tumataas taon-taon. Bilang pangunahing bahagi ng mga de-kuryenteng sasakyan, ang motor controller ay nagbibigay ng lakas sa pagmamaneho para sa buong sasakyan. Insulated gate bipolar transistor (IGBT) gumaganap ng isang mahalagang papel bilang pangunahing bahagi ng bahagi ng kontrol nito. Dahil sa mataas na kapangyarihan ng motor sa pagmamaneho na ginagamit sa mga de-koryenteng sasakyan at ang malupit na kapaligiran sa pagtatrabaho, Ang mga module ng IGBT ay kinakailangan upang mahawakan ang malalaking alon. Nangangailangan ito ng mga module ng IGBT na magkaroon ng mahusay na mga kakayahan sa pag-alis ng init at makatiis sa mataas na temperatura ng pagpapatakbo.

Ang mga semiconductor power device na kinakatawan ng IGBT ay isa sa mga pangunahing bahagi ng mga inverters at isa rin sa mga pangunahing bahagi ng pag-init. Ang kanilang thermal management ay lubhang mahalaga at lubos na nakakaapekto sa habang-buhay ng mga device at ang magagamit na buhay ng mga inverters. Ang init ay pangunahing nakakaapekto sa habang-buhay ng mga IGBT device mula sa dalawang aspeto ng temperatura. Una, ang pinapayagang temperatura. Kasalukuyan, ang pinakamataas na pinapayagang temperatura para sa mga pang-industriyang IGBT na aparato ay kadalasan 150 ℃, na may maliit na bahagi na umaabot 175 ℃. Kung lumampas ang pinapayagang temperatura, ang pagiging maaasahan ng aparato ay hindi magagarantiyahan at ito ay madaling mabigo; Ang pangalawa ay ang pagbabagu-bago ng temperatura o pag-ikot ng temperatura, dahil ang mga IGBT device ay naglalaman ng maraming materyales sa loob, at ang bawat materyal ay may iba't ibang thermal expansion rate. Ang pagbabagu-bago ng temperatura ay nagiging sanhi ng paulit-ulit na paglawak at pagkunot ng device, at ang antas ng pagpapalawak at pag-urong ng iba't ibang mga materyales ay nag-iiba. Ang madalas na pagbabagu-bago ng temperatura ay maaaring humantong sa IGBT device failure dahil sa thermal fatigue. Pinapayagan ng mga IGBT device na masubaybayan ang temperatura sa mga kasalukuyang inverters, at mayroong isang tiyak na margin sa disenyo ng produkto; Gayunpaman, Ang mga pagbabago sa temperatura ay madalas na napapansin, at kahit na binibigyang pansin ang mga pagbabago sa temperatura, ang pangunahing pagsasaalang-alang ay upang maiwasan ang mga temperatura ng junction ng IGBT na lumampas sa pinapayagang temperatura sa panahon ng mga pagbabago, sa halip na tumuon sa buhay ng pagbibisikleta ng temperatura. Ito ay dahil ang thermal fatigue ng mga device na dulot ng mga pagbabago sa temperatura ay malapit na nauugnay sa dalas at amplitude ng mga pagbabago., at ito ay isang pangmatagalang proseso ng akumulasyon.

Nagbibigay ang FJINNO ng fluorescent Fiber Optic temperatura Pagsukat ng aparato na maaaring direktang makamit ang IGBT fiber optic na pagsukat ng temperatura, pagsukat ng temperatura ng thyristor fiber optic, at pagsukat ng temperatura ng fiber optic ng thyristor.