So überwachen Sie die Temperatur mit IGBT-Thyristor-INNO

Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) wird häufig in verschiedenen Bereichen wie der Kommunikation eingesetzt, Transport, und Macht, und entwickelt sich in Richtung Hochspannung, Hochfrequenz, und hohe Leistung. Die hohen Sicherheitsanforderungen der oben genannten Systeme erhöhen die Zuverlässigkeitsanforderungen von IGBT. daher, Zustandsüberwachung und Lebensdauervorhersage von IGBT sind äußerst wichtig. Es gibt viele Formen des IGBT-Ausfalls, und die Temperatur ist der Hauptfaktor für den Ausfall. daher, Die thermische Analyse ist ein wichtiger Bestandteil der IGBT-Zustandsbewertung, und die Echtzeitmessung der IGBT-Sperrschichttemperatur ist für die Verbesserung der Systemzuverlässigkeit von großer Bedeutung.

Hochspannungs- und Hochleistungsthyristoren sind Schlüsselkomponenten von Stromrichterventilen in Ultrahochspannungs- oder Ultrahochspannungs-Gleichstromübertragungsprojekten, und der Gesundheitszustand von Thyristoren wirkt sich direkt auf die Sicherheit und Zuverlässigkeit von Gleichstromübertragungsprojekten aus. Beim Betrieb von Thyristoren, Alterung ist aufgrund der kombinierten Wirkung von Hochspannung unvermeidlich, hoher Strom, Temperatur, Luftfeuchtigkeit, mechanische Vibration, und Strahlung, unter anderem Belastungen. Auch die Leistungsparameter von Thyristoren ändern sich mit der Alterung. Ein umfassendes Verständnis der Alterungs- und Parameterverschlechterungsgesetze von Thyristoren ist für die Beurteilung des Zustands von Thyristoren von großer Bedeutung, Formulierung wissenschaftlicher Wartungspläne, und Vorhersage der verbleibenden Lebensdauer von Thyristoren.

Als Niederspannungs- und Hochspannungs-Gate-Schaltung, Der normale Betrieb des IGBT bestimmt direkt den Arbeitszustand des elektrischen Kompressors. Der Ausfall des IGBT ist eines der Hauptprobleme im After-Sales-Markt für elektrische Kompressoren für Elektrofahrzeuge. The failure modes mainly include IGBT breakdown and short circuit, among which IGBT overcurrent and overheating are the main causes of its failure. Derzeit, most manufacturers add IGBT overcurrent protection (Überlastschutz) and IGBT overheat protection to the compressor control strategy based on the failure mode of IGBT. Jedoch, these protection strategies were not interrelated before, and IGBT may work for a long time under high current and high temperature, which undoubtedly reduces the service life of IGBT. Darüber hinaus, this protection method will limit the working current of IGBT, thereby limiting the power output of the motor.

With the continuous depletion of chemical energy and the intensification of environmental pollution, the market share of electric vehicles has been increasing year by year. As the core component of electric vehicles, the motor controller provides driving force for the entire vehicle. Insulated gate bipolar transistor (IGBT) plays an important role as the core component of its control part. Due to the high power of the driving motor used in electric vehicles and the harsh working environment, IGBT modules are required to handle large currents. This requires IGBT modules to have good heat dissipation capabilities and be able to withstand high operating temperatures.

Semiconductor power devices represented by IGBT are one of the core components of inverters and also one of the main heating components. Their thermal management is extremely important and greatly affects the lifespan of the devices and the usable life of the inverters. Wärme beeinflusst die Lebensdauer von IGBT-Geräten hauptsächlich aus zwei Temperaturaspekten. Erstens, die zulässige Temperatur. Momentan, Die maximal zulässige Temperatur für industrielle IGBT-Geräte beträgt meist 150 ℃, mit einer kleinen Portion reichen 175 ℃. Wenn die zulässige Temperatur überschritten wird, Die Zuverlässigkeit des Geräts kann nicht garantiert werden und es kann leicht ausfallen; Die zweite Möglichkeit sind Temperaturschwankungen oder Temperaturzyklen, weil IGBT-Geräte im Inneren mehrere Materialien enthalten, und jedes Material hat eine andere Wärmeausdehnungsrate. Temperaturschwankungen führen dazu, dass sich das Gerät immer wieder ausdehnt und zusammenzieht, und der Grad der Ausdehnung und Kontraktion verschiedener Materialien variiert. Häufige Temperaturschwankungen können aufgrund thermischer Ermüdung zum Ausfall von IGBT-Geräten führen. IGBT-Geräte ermöglichen die Temperaturüberwachung in aktuellen Wechselrichtern, und es gibt einen gewissen Spielraum beim Produktdesign; Jedoch, Temperaturschwankungen werden oft übersehen, und auch wenn man auf Temperaturschwankungen achtet, Die Hauptüberlegung besteht darin, zu vermeiden, dass die IGBT-Verbindungstemperaturen bei Schwankungen die zulässige Temperatur überschreiten, anstatt sich auf das Temperaturwechselleben zu konzentrieren. Dies liegt daran, dass die durch Temperaturschwankungen verursachte thermische Ermüdung von Geräten eng mit der Häufigkeit und Amplitude der Schwankungen zusammenhängt, und ist ein langfristiger Akkumulationsprozess.

FJINNO bietet eine fluoreszierende Wirkung faseroptisches Temperaturmessgerät die direkt eine IGBT-Glasfaser-Temperaturmessung erreichen kann, Thyristor-Glasfaser-Temperaturmessung, und faseroptische Temperaturmessung mit Thyristor.